Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3GHE3/57T

KEY Part #: K6446344

[1797ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    ES3GHE3/57T
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3GHE3/57T electronic components. ES3GHE3/57T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3GHE3/57T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES3GHE3/57T პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : ES3GHE3/57T
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 3A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-214AB, SMC
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AB (SMC)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • MMBD1202

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • MMBD4148-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • P600M-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 1000 Volt 400 Amp IFSM

    • P600J-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 600 Volt 400 Amp IFSM

    • EGL34GHE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • EGL34FHE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.