IXYS - IXFB110N60P3

KEY Part #: K6396540

IXFB110N60P3 ფასები (აშშ დოლარი) [5131ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$9.70613
  • 10 pcs$8.82309
  • 100 pcs$7.13379

Ნაწილი ნომერი:
IXFB110N60P3
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFB110N60P3 electronic components. IXFB110N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB110N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB110N60P3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFB110N60P3
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
სერიები : HiPerFET™, Polar3™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 245nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 18000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1890W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PLUS264™
პაკეტი / საქმე : TO-264-3, TO-264AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.