NXP USA Inc. - BUK7E4R0-80E,127

KEY Part #: K6400051

[3531ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BUK7E4R0-80E,127
    მწარმოებელი:
    NXP USA Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK7E4R0-80E,127 electronic components. BUK7E4R0-80E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7E4R0-80E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK7E4R0-80E,127 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BUK7E4R0-80E,127
    მწარმოებელი : NXP USA Inc.
    აღწერა : MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
    სერიები : TrenchMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 169nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 12030pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 349W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : I2PAK
    პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VN0106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • IRFIZ34GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.

    • R6008ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

    • BUK951R8-40EQ

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V TO-220AB.