მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
ნაწილის სტატუსი :
Not For New Designs
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
21nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
680pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
50W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220FM
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack