IXYS - IXTN30N100L

KEY Part #: K6393553

IXTN30N100L ფასები (აშშ დოლარი) [1716ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$26.47759
  • 10 pcs$24.75922
  • 25 pcs$22.89888
  • 100 pcs$21.46770

Ნაწილი ნომერი:
IXTN30N100L
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTN30N100L electronic components. IXTN30N100L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN30N100L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN30N100L პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTN30N100L
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 15A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 545nC @ 20V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 13700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 800W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ