Infineon Technologies - IPZ60R099C7XKSA1

KEY Part #: K6398126

IPZ60R099C7XKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [12501ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.37135
  • 10 pcs$3.00954
  • 100 pcs$2.46796
  • 500 pcs$1.99843
  • 1,000 pcs$1.68543

Ნაწილი ნომერი:
IPZ60R099C7XKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPZ60R099C7XKSA1 electronic components. IPZ60R099C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZ60R099C7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ60R099C7XKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPZ60R099C7XKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
სერიები : CoolMOS™ C7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 490µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1819pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 110W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO247-4
პაკეტი / საქმე : TO-247-4

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.