Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP30B-E3/73

KEY Part #: K6440272

RGP30B-E3/73 ფასები (აშშ დოლარი) [278337ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13289
  • 2,000 pcs$0.12043

Ნაწილი ნომერი:
RGP30B-E3/73
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 3.0A 150ns 125 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP30B-E3/73 electronic components. RGP30B-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP30B-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP30B-E3/73 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RGP30B-E3/73
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-201AD
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • SD175SA45A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A DIE.

  • SD175SC200A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 30A DIE.