Infineon Technologies - IPD60R380E6ATMA2

KEY Part #: K6401716

[2955ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPD60R380E6ATMA2
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET NCH 600V 10.6A TO252.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPD60R380E6ATMA2 electronic components. IPD60R380E6ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R380E6ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R380E6ATMA2 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPD60R380E6ATMA2
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
    სერიები : CoolMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10.6A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 300µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 700pF @ 100V
    FET თვისება : Super Junction
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 83W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVN4310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

    • VN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

    • TN5325N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • SI1471DH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

    • PMN70XPEAX

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.