Microsemi Corporation - APTGF90H60T3G

KEY Part #: K6532811

APTGF90H60T3G ფასები (აშშ დოლარი) [1331ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$32.52829
  • 10 pcs$30.55880
  • 25 pcs$29.17882

Ნაწილი ნომერი:
APTGF90H60T3G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGF90H60T3G electronic components. APTGF90H60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF90H60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGF90H60T3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGF90H60T3G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
IGBT ტიპი : NPT
კონფიგურაცია : Full Bridge Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 120A
ძალა - მაქსიმუმი : 416W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 100A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 4.4nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.