Vishay Semiconductor Diodes Division - BU25H08-E3/A

KEY Part #: K6540501

BU25H08-E3/A ფასები (აშშ დოლარი) [32472ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.20752
  • 10 pcs$1.03062
  • 25 pcs$0.97217
  • 100 pcs$0.82821
  • 250 pcs$0.77767
  • 500 pcs$0.68046
  • 1,000 pcs$0.56381
  • 2,500 pcs$0.52492
  • 5,000 pcs$0.50548

Ნაწილი ნომერი:
BU25H08-E3/A
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU. Bridge Rectifiers 25A, 800V Pwr Brdge
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BU25H08-E3/A electronic components. BU25H08-E3/A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BU25H08-E3/A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BU25H08-E3/A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BU25H08-E3/A
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU
სერიები : isoCink+™
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.05V @ 12.5A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, BU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : isoCINK+™ BU

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • GBPC3504W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 400 Volt

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS6KL60 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif