Diodes Incorporated - DMN6013LFG-7

KEY Part #: K6394932

DMN6013LFG-7 ფასები (აშშ დოლარი) [280112ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13205
  • 2,000 pcs$0.11733

Ნაწილი ნომერი:
DMN6013LFG-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN6013LFG-7 electronic components. DMN6013LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6013LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN6013LFG-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN6013LFG-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10.3A (Ta), 45A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 55.4nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2577pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI3333-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ