IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3577S80PFG8

KEY Part #: K939879

Დეტალური აღწერა:: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, PMIC - ბატარეის დამტენები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ინტერფეისი - კონტროლერები, მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, PMIC - დენის Ethernet (PoE) კონტროლერები and მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE) ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80PFG8 electronic components. 71V3577S80PFG8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V3577S80PFG8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : 71V3577S80PFG8

მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc

აღწერა : IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : SRAM

ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous

მეხსიერების ზომა : 4.5Mb (128K x 36)

საათის სიხშირე : 100MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -

წვდომის დრო : 8ns

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V

ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 100-LQFP

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 100-TQFP (14x14)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

MB85AS4MTPF-G-BCERE1

Fujitsu Electronics America, Inc.

IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.
R1LP5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP
R1LV5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube
71256SA25TPGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
W25M512JVFIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
W949D2DBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm

ცხელი ნაწილები