D850N30TXPSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [650ცალი საფონდო]
- 1 pcs$71.36809
- Ნაწილი ნომერი:
- D850N30TXPSA1
- მწარმოებელი:
- Infineon Technologies
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 3KV 850A.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Infineon Technologies D850N30TXPSA1 electronic components. D850N30TXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for D850N30TXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
D850N30TXPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
D850N30TXPSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
DIODE GEN PURP 3KV 850A
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Last Time Buy
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
3000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
850A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.28V @ 850A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
50mA @ 3000V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-200AB, B-PUK
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
-
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 160°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
CDBDSC5650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
-
CDBDSC3650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
-
CDBDSC51200-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
-
VS-60APU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins
-
VS-60APU06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp
-
VS-60APH03-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt
ცხელი ნაწილები
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置