Diodes Incorporated - DMT10H072LFDF-13

KEY Part #: K6395964

DMT10H072LFDF-13 ფასები (აშშ დოლარი) [333575ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11088

Ნაწილი ნომერი:
DMT10H072LFDF-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMT10H072LFDF-13 electronic components. DMT10H072LFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H072LFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H072LFDF-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMT10H072LFDF-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 5.1nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 266pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 800mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : U-DFN2020-6
პაკეტი / საქმე : 6-UDFN Exposed Pad

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ