Vishay Siliconix - SI3586DV-T1-E3

KEY Part #: K6523558

[4125ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI3586DV-T1-E3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3 electronic components. SI3586DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3586DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3586DV-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI3586DV-T1-E3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N and P-Channel
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.9A, 2.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 830mW
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ