Rohm Semiconductor - RCD080N25TL

KEY Part #: K6403186

RCD080N25TL ფასები (აშშ დოლარი) [139168ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.29382
  • 2,500 pcs$0.29235

Ნაწილი ნომერი:
RCD080N25TL
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RCD080N25TL electronic components. RCD080N25TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RCD080N25TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RCD080N25TL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RCD080N25TL
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1440pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : CPT3
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ