Infineon Technologies - IRLS3813PBF

KEY Part #: K6402724

IRLS3813PBF ფასები (აშშ დოლარი) [2605ცალი საფონდო]

  • 1,000 pcs$0.57811

Ნაწილი ნომერი:
IRLS3813PBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRLS3813PBF electronic components. IRLS3813PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLS3813PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLS3813PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRLS3813PBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 mOhm @ 148A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 83nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 8020pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 195W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

  • GP1M003A090C

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

  • GP1M003A080CH

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.

  • GP2M008A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.