თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. NGTD8R65F2WP

ON Semiconductor - NGTD8R65F2WP

KEY Part #: K6442108

NGTD8R65F2WP ფასები (აშშ დოლარი) [173620ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.21304
  • 1,112 pcs$0.16819
Ნაწილი ნომერი:
NGTD8R65F2WP
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 650V DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NGTD8R65F2WP electronic components. NGTD8R65F2WP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD8R65F2WP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTD8R65F2WP პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NGTD8R65F2WP
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 650V DIE
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : -
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.8V @ 30A
სიჩქარე : -
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Die
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 175°C (Max)

Უახლესი ცნობები

ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
ON Semiconductor NCP171 LDO Regulator
ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
ON Semiconductor LFPAK4 Industrial Power MOSFETs
ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
ON Semiconductor LV8716QAGEVK Evaluation Kit
ON Semiconductor FPF2283CUCX OVP Power Switch IC
ON Semiconductor FUSB308BV USB Type-C® Port Controller with USB-PD
ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor LV8549MCGEVB Evaluation Board
ON Semiconductor NCS2191x Precision Op Amplifiers
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
ცხელი ნაწილები