Diodes Incorporated - 2N7002E-7-F

KEY Part #: K6419565

2N7002E-7-F ფასები (აშშ დოლარი) [1712846ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02159
  • 3,000 pcs$0.02001

Ნაწილი ნომერი:
2N7002E-7-F
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated 2N7002E-7-F electronic components. 2N7002E-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002E-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002E-7-F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 2N7002E-7-F
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 250mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.22nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 50pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 370mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ