Ნაწილი ნომერი :
IPT012N08N5ATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 280µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
223nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
17000pF @ 40V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
375W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-HSOF-8-1
პაკეტი / საქმე :
8-PowerSFN