Vishay Siliconix - SIHD1K4N60E-GE3

KEY Part #: K6397629

SIHD1K4N60E-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [70849ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.55189

Ნაწილი ნომერი:
SIHD1K4N60E-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH DPAK TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3 electronic components. SIHD1K4N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD1K4N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD1K4N60E-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIHD1K4N60E-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH DPAK TO-252
სერიები : E
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 172pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 63W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252AA
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.