Infineon Technologies - FS100R12W2T7B11BOMA1

KEY Part #: K6532644

FS100R12W2T7B11BOMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1189ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$36.39685

Ნაწილი ნომერი:
FS100R12W2T7B11BOMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
LOW POWER EASY.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FS100R12W2T7B11BOMA1 electronic components. FS100R12W2T7B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS100R12W2T7B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS100R12W2T7B11BOMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FS100R12W2T7B11BOMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : LOW POWER EASY
სერიები : *
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : -
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
ძალა - მაქსიმუმი : -
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
შეყვანა : -
NTC თერმოსტორი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.