Ნაწილი ნომერი :
DMT3009LFVW-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET BVDSS 25V 30V POWERDI333
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta), 50A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
3.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
12nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
823pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount, Wettable Flank
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerDI3333-8 (Type UX)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN