Ნაწილი ნომერი :
BSC010N04LSIATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
37A (Ta), 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
87nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6200pF @ 20V
FET თვისება :
Schottky Diode (Body)
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 139W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TDSON-8 FL
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN