Ნაწილი ნომერი :
SIR492DP-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
110nC @ 8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3720pF @ 6V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
4.2W (Ta), 36W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SO-8