Vishay Siliconix - SIR492DP-T1-GE3

KEY Part #: K6404644

SIR492DP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [1941ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.29235

Ნაწილი ნომერი:
SIR492DP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIR492DP-T1-GE3 electronic components. SIR492DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR492DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR492DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIR492DP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 110nC @ 8V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3720pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 4.2W (Ta), 36W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0702N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3.

  • IRFR812PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK.

  • RFD14N05LSM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA.

  • IRFI4410ZGPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB.

  • BSS159NL6906HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.

  • BSS123L6433HTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.