ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16400J-7BLA1

KEY Part #: K940194

IS45S16400J-7BLA1 ფასები (აშშ დოლარი) [28486ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.92461
  • 348 pcs$1.91503

Ნაწილი ნომერი:
IS45S16400J-7BLA1
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDR SDRAM 3.3v
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი, PMIC - RMS to DC გადამყვანი, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, ინტერფეისი - მოდულები, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ჩაშენებული - მიკროპროცესორები and ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7BLA1 electronic components. IS45S16400J-7BLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS45S16400J-7BLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS45S16400J-7BLA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS45S16400J-7BLA1
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 64Mb (4M x 16)
საათის სიხშირე : 143MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TFBGA (8x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,