Ნაწილი ნომერი :
IXTH80N65X2
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
144nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
7753pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
890W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3