Ნაწილი ნომერი :
DMN3018SFG-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
8.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
13.2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
697pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerDI3333-8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN