Ნაწილი ნომერი :
STI57N65M5
მწარმოებელი :
STMicroelectronics
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
42A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
98nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4200pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
250W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I2PAK (TO-262)
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA