Ნაწილი ნომერი :
IS43DR86400C-3DBI
მწარმოებელი :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა :
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
DRAM
ტექნოლოგია :
SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა :
512Mb (64M x 8)
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
15ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
60-TWBGA (8x10.5)