Infineon Technologies - FP06R12W1T4B3BOMA1

KEY Part #: K6534701

FP06R12W1T4B3BOMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [2967ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.59588

Ნაწილი ნომერი:
FP06R12W1T4B3BOMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE VCES 1200V 6A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FP06R12W1T4B3BOMA1 electronic components. FP06R12W1T4B3BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP06R12W1T4B3BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP06R12W1T4B3BOMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FP06R12W1T4B3BOMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE VCES 1200V 6A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 12A
ძალა - მაქსიმუმი : 94W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 6A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 600pF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.