მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
35V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta), 55A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
63nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2370pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.1W (Ta), 57W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D-PAK (TO-252)
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63