IXYS - IXTT75N10L2

KEY Part #: K6398075

IXTT75N10L2 ფასები (აშშ დოლარი) [7658ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.91860
  • 10 pcs$5.38095
  • 100 pcs$4.57380
  • 500 pcs$3.90119

Ნაწილი ნომერი:
IXTT75N10L2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 75A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTT75N10L2 electronic components. IXTT75N10L2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT75N10L2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT75N10L2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTT75N10L2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 75A TO268
სერიები : Linear L2™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 215nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 8100pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 400W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.