Ნაწილი ნომერი :
TRS10E65C,S1Q
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
დიოდის ტიპი :
Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
10A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 10A
სიჩქარე :
No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
90µA @ 650V
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-2L
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
175°C (Max)