Toshiba Semiconductor and Storage - TRS10E65C,S1Q

KEY Part #: K6426708

TRS10E65C,S1Q ფასები (აშშ დოლარი) [8635ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.24874
  • 50 pcs$4.30308
  • 100 pcs$3.88327
  • 500 pcs$3.25354

Ნაწილი ნომერი:
TRS10E65C,S1Q
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C,S1Q electronic components. TRS10E65C,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TRS10E65C,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TRS10E65C,S1Q პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TRS10E65C,S1Q
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 10A
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 90µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-2L
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 175°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

  • RS2B-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 100V

  • PR1501-T

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15. Rectifiers 1.5A 50V

  • PR1504-T

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO15. Rectifiers 1.5A 400V