ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16640B-25DBL

KEY Part #: K939262

IS43DR16640B-25DBL ფასები (აშშ დოლარი) [24351ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.23876

Ნაწილი ნომერი:
IS43DR16640B-25DBL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA. DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: IC ჩიპები, ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება), ჩაშენებული - მიკროპროცესორები, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური and PMIC - ძაბვის მითითება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBL electronic components. IS43DR16640B-25DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16640B-25DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16640B-25DBL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43DR16640B-25DBL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 400ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-WBGA (8x12.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

  • W632GG8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.