Winbond Electronics - W632GG8MB12I

KEY Part #: K939322

W632GG8MB12I ფასები (აშშ დოლარი) [24502ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.87021

Ნაწილი ნომერი:
W632GG8MB12I
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ, PMIC - სრული, ნახევარ ხიდი მძღოლები, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - RMS to DC გადამყვანი, ინტერფეისი - CODEC and აუდიო სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W632GG8MB12I electronic components. W632GG8MB12I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W632GG8MB12I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W632GG8MB12I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W632GG8MB12I
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3
მეხსიერების ზომა : 2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.425V ~ 1.575V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 78-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 78-VFBGA (10.5x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.