Microsemi Corporation - MSFC130-16

KEY Part #: K6537464

[13695ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MSFC130-16
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation MSFC130-16 electronic components. MSFC130-16 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSFC130-16, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MSFC130-16 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MSFC130-16
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    სტრუქტურა : Series Connection - SCR/Diode
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 1 SCR, 1 Diode
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 1.6kV
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 130A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : -
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 3V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 150mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 4700A @ 50Hz
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 400mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Module

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VSKT500-14

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.

    • VSKT500-16

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.

    • VSKH500-12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.

    • GBPC3506W-E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt

    • VS-130MT120KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 3P 1.2KV 130A MT-K. Bridge Rectifiers 1200 Volt 130 Amp

    • GBU6K-E3/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU. Bridge Rectifiers 800 Volt 6.0 Amp Glass Passivated