Infineon Technologies - T2810N20TOFVTXPSA1

KEY Part #: K6537459

[4208ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    T2810N20TOFVTXPSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies T2810N20TOFVTXPSA1 electronic components. T2810N20TOFVTXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T2810N20TOFVTXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    T2810N20TOFVTXPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : T2810N20TOFVTXPSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    სტრუქტურა : Single
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 1 SCR
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 2.2kV
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 2810A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : 5800A
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 2.5V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 300mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 58000A @ 50Hz
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 300mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-200AE

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VSKT500-14

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.

    • VSKT500-16

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.

    • VSKH500-12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.

    • GBPC3506W-E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt

    • VS-130MT120KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 3P 1.2KV 130A MT-K. Bridge Rectifiers 1200 Volt 130 Amp

    • GBU6K-E3/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU. Bridge Rectifiers 800 Volt 6.0 Amp Glass Passivated