Nexperia USA Inc. - PH3230S,115

KEY Part #: K6415214

[12487ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    PH3230S,115
    მწარმოებელი:
    Nexperia USA Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Nexperia USA Inc. PH3230S,115 electronic components. PH3230S,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PH3230S,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PH3230S,115 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : PH3230S,115
    მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    სერიები : TrenchMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 42nC @ 5V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4100pF @ 10V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 62.5W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : LFPAK56, Power-SO8
    პაკეტი / საქმე : SC-100, SOT-669

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.