ON Semiconductor - FDC5612

KEY Part #: K6396491

FDC5612 ფასები (აშშ დოლარი) [264954ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.14030
  • 3,000 pcs$0.13960

Ნაწილი ნომერი:
FDC5612
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDC5612 electronic components. FDC5612 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC5612, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC5612 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDC5612
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 650pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.6W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SuperSOT™-6
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ