VS-HFA25TB60SR-M3 ფასები (აშშ დოლარი) [66207ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.59058
- Ნაწილი ნომერი:
- VS-HFA25TB60SR-M3
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V 25A IF TO-220AC 225A IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA25TB60SR-M3 electronic components. VS-HFA25TB60SR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA25TB60SR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA25TB60SR-M3 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
VS-HFA25TB60SR-M3
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK
სერიები :
HEXFRED®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
25A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2V @ 50A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
20µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263AB (D²PAK)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF04STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-8EWF02STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
ცხელი ნაწილები
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR
选择你的位置