Infineon Technologies - IPA50R190CEXKSA2

KEY Part #: K6417854

IPA50R190CEXKSA2 ფასები (აშშ დოლარი) [43497ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 100 pcs$0.56916
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695

Ნაწილი ნომერი:
IPA50R190CEXKSA2
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPA50R190CEXKSA2 electronic components. IPA50R190CEXKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA50R190CEXKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA50R190CEXKSA2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPA50R190CEXKSA2
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
სერიები : CoolMOS™ CE
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 510µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 47.2nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1137pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 32W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220 Full Pack
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.