STMicroelectronics - STP23NM60N

KEY Part #: K6415948

[12234ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    STP23NM60N
    მწარმოებელი:
    STMicroelectronics
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 600V 19A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in STMicroelectronics STP23NM60N electronic components. STP23NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP23NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP23NM60N პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : STP23NM60N
    მწარმოებელი : STMicroelectronics
    აღწერა : MOSFET N-CH 600V 19A TO-220
    სერიები : MDmesh™ II
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 9.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±25V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2050pF @ 50V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • VN10LP

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRLR2905TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRLR2703TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

    • IRFR024NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

    • IRFR120NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.