Rohm Semiconductor - RFNL20TJ6SGC9

KEY Part #: K6443007

RFNL20TJ6SGC9 ფასები (აშშ დოლარი) [54689ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 25 pcs$0.63233
  • 100 pcs$0.56916
  • 250 pcs$0.50590
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695
  • 2,500 pcs$0.32302
  • 5,000 pcs$0.31106

Ნაწილი ნომერი:
RFNL20TJ6SGC9
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GP 600V 20A TO220ACFP. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 20A Io Recovery Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RFNL20TJ6SGC9 electronic components. RFNL20TJ6SGC9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFNL20TJ6SGC9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFNL20TJ6SGC9 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RFNL20TJ6SGC9
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : DIODE GP 600V 20A TO220ACFP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 20A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 180ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2 Full Pack
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220ACFP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.