Infineon Technologies - BSZ058N03MSGATMA1

KEY Part #: K6420882

BSZ058N03MSGATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [279894ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13215
  • 5,000 pcs$0.12686

Ნაწილი ნომერი:
BSZ058N03MSGATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSZ058N03MSGATMA1 electronic components. BSZ058N03MSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ058N03MSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ058N03MSGATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSZ058N03MSGATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta), 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3100pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.1W (Ta), 45W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TSDSON-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ