Infineon Technologies - IDP04E120

KEY Part #: K6445538

[2073ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IDP04E120
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IDP04E120 electronic components. IDP04E120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP04E120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDP04E120 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IDP04E120
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 11.2A (DC)
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.15V @ 4A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 115ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : TO-220-2
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-2-2
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • VS-20ETF04FPPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.