Microsemi Corporation - JANTXV1N6625U

KEY Part #: K6442390

[3149ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTXV1N6625U
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6625U electronic components. JANTXV1N6625U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6625U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6625U პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6625U
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/585
    ნაწილის სტატუსი : Active
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.75V @ 1A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 60ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 1000V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.