Infineon Technologies - BSC0910NDIATMA1

KEY Part #: K6525150

BSC0910NDIATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [95992ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.40734
  • 5,000 pcs$0.39102

Ნაწილი ნომერი:
BSC0910NDIATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1 electronic components. BSC0910NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0910NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0910NDIATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSC0910NDIATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET თვისება : Logic Level Gate, 4.5V Drive
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.6nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4500pF @ 12V
ძალა - მაქსიმუმი : 1W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TISON-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.