Taiwan Semiconductor Corporation - SK510B M4G

KEY Part #: K6426772

SK510B M4G ფასები (აშშ დოლარი) [453523ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08156

Ნაწილი ნომერი:
SK510B M4G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V Schottky Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SK510B M4G electronic components. SK510B M4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SK510B M4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SK510B M4G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SK510B M4G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 850mV @ 5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AA (SMB)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NRVTSAF260ET3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 2A TRENCH RECTIFIER I

  • MUR220RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL. Rectifiers 200V 2A UltraFast

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

  • RS2B-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 100V

  • RS2KA-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA. Rectifiers 2.0A 800V