ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-5BLI

KEY Part #: K936822

IS43R86400F-5BLI ფასები (აშშ დოლარი) [15145ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.02548

Ნაწილი ნომერი:
IS43R86400F-5BLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - კარიბჭის მძღოლები, PMIC - LED მძღოლები, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), ხაზოვანი - შემსრულებლები, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი and ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BLI electronic components. IS43R86400F-5BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-5BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400F-5BLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43R86400F-5BLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (13x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8DIP.

  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8